- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录483 > NDS351AN (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NDS351AN |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 1.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 145pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS351ANDKR |
Typical Characteristics
5
V GS = 10V
4.5V
2.8
4
6.0V
2.6
2.4
2.2
V GS = 3.5V
3
3.5V
2
1.8
2
1.6
1.4
4.0V
4.5V
1
3.0V
1.2
1
5.0V
6.0V
10V
0
0
0.5
1
1.5
2
0.8
0
1
2
3
4
5
1.6
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.25
I D = 1.4A
V GS = 10V
0.225
I D = 0.7A
1.4
0.2
1.2
1
0.175
0.15
T A = 125 o C
0.125
0.8
0.1
T A = 25 o C
0.6
0.075
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3
4
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
5
V DS = 5V
4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
10
V GS = 0V
1
3
0.1
T A = 125 o C
25 o C
2
T A = 125 o C
0.01
-55 o C
1
0
25 o C
-55 o C
0.001
0.0001
2
2.5
3
3.5
4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
NDS351AN Rev E(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDS355AN | MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3 |
| NDS355N | MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3 |
| NDS7002A | MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23 |
| NDS8425 | MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC |
| NDS8434 | MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDS351AN | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
| NDS351AN_Q | 功能描述:MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS351AN-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:NDS Series N-Channel 30 V 160 mO Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3 |
| NDS351ANX | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 1.2A SuperSOT3 |
| NDS351N | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。