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参数资料
| 型号： | NDS351AN |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 1.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 145pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDS351ANDKR |
Typical Characteristics
10
200
8
I D =1.4A
V DS = 10V
15V
180
160
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
6
4
20V
140
120
100
80
60
C OSS
2
40
20
C RSS
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
5
10
15
20
25
30
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
5
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
R θ JA = 270°C/W
10
100 μ s
4
T A = 25°C
R DS(ON) LIMIT
1ms
3
1
10ms
100ms
0.1
V GS = 10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 270 o C/W
DC
1s
2
1
T A = 25 o C
0.01
0
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
R θ JA = 270 C/W
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
o
0.1
0.1
0.01
0.001
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
NDS351AN Rev E(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDS355AN | MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3 |
| NDS355N | MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3 |
| NDS7002A | MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23 |
| NDS8425 | MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC |
| NDS8434 | MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDS351AN | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
| NDS351AN_Q | 功能描述:MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS351AN-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:NDS Series N-Channel 30 V 160 mO Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3 |
| NDS351ANX | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 1.2A SuperSOT3 |
| NDS351N | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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