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参数资料
| 型号： | NDS8425 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 7.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1098pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NDS8425FSDKR |
Typical Characteristics
30
25
V GS = 4.5V
4.0V
3.5V
2.5V
2.5
20
3.0V
2
V GS = 2.0V
2.0V
15
1.5
2.5V
10
1
3.0V
3.5V
4.0V
4.5
5
1.5V
0
0.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
5
10
15
20
25
30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.8
0.08
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.6
I D = 7.4A
V GS = 4.5V
0.07
I D = 7.4 A
0.06
1.4
0.05
1.2
0.04
T A = 125 C
1.0
0.8
0.03
0.02
o
T A = 25 C
0.6
0.01
o
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
30
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
T A = -55 C
25 C
125 C
T A = 125 C
25
20
V DS = 5V
o
o
o
10
1
V GS = 0V
o
25
-55 C
15
10
5
0
0.1
0.01
0.001
0.0001
o
o
0.5
1.5
2.5
3.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
NDS8425 Rev D (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDS8434 | MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC |
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| NDS9400A | MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDS8425 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| NDS8426 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDS8426A | 功能描述:MOSFET Single N-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NDS8426A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| NDS8433 | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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