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参数资料
| 型号： | NDT456P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-223 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 67nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1440pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDT456PDKR |
Typical Electrical Characteristics
-20
-16
V GS = -10V
-6.0
-5.0
-4.5
-4.0
-3.5
2.5
2
V GS =-3.5V
-4.0
-12
-4.5
-8
-4
-3.0
-2.5
1.5
1
-5.0
-7.0
-10
0
0
-1
-2
-3
0.5
0
-4
-8
-12
-16
-20
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1 .5
I D =-7.5A
2.5
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current.
V GS = -10V
1 .2 5
V
GS
= -10V
2
1
1.5
T J = 125°C
25°C
1
-55°C
0 .7 5
0.5
0 .5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
-4
-8
-12
-16
-20
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
J
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
-20
-16
V DS =- 10V
T = -55°C
J
25
125
1.2
1.1
V DS = V GS
I D =- 250μA
1
-12
0.9
-8
0.8
-4
0.7
0
-0.8
-1.6
-2.4
-3.2
-4
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
T , JUNCTION TEM PERATURE (°C)
J
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
NDT456P Rev. F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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