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参数资料
| 型号： | NDT456P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-223 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 67nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1440pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NDT456PDKR |
Typical Electrical Characteristics
1 .1
20
1 .0 8
1 .0 6
1 .0 4
I D =- 250μA
5
1
0.1
V GS = 0V
T J = 125°C
25°C
1 .0 2
1
0.01
-55°C
0 .9 8
0.001
0 .9 6
0 .9 4
-5 0
-2 5
0
25
50
75
100
125
150
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
T
J
, JU N CTION T EM PERA T U RE (°C)
-V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature .
4000
3000
10
I D = -7.5A
V DS =- 5V
-10V
2000
C iss
C oss
8
6
-20V
1000
4
500
C rss
400
300
f = 1 MHz
V GS = 0V
2
200
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
0
0
10
20
30
40
50
60
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
-V DD
t on
t off
V GS
R GEN
V IN
G
D
R L
DUT
V OUT
t d(on)
V OUT
10%
t r
90%
t d(off)
90%
10%
t f
90%
S
V IN
50%
50%
10%
PULSE W IDTH
INVERTED
Figure 11. Switching Test Circuit .
Figure 12. Switching Waveforms.
NDT456P Rev. F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NDT456P(J23Z) | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | SOT-223 |
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