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参数资料
| 型号： | NE3509M04-T2-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 381K |
| 描述： | AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 2GHz |
| 增益： | 17.5dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 60mA |
| 噪音数据： | 0.4dB |
| 电流 - 测试： | 10mA |
| 功率 - 输出： | 11dBm |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | SC-82A，SOT-343 |
| 供应商设备封装： | SOT-343 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Data Sheet PG10608EJ02V0DS
5
NE3509M04
S-PARAMETERS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CD15ED360GO3F | CAP MICA 36PF 500V 2% RADIAL |
| CD15ED330GO3F | CAP MICA 33PF 500V 2% RADIAL |
| NE3512S02-T1D-A | HJ-FET NCH 13.5DB S02 |
| CD15ED300GO3F | CAP MICA 30PF 500V 2% RADIAL |
| MC12FA241G-TF | CAP MICA 240PF 100V 2% 1210 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE3509M14 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:N-Channel GaAs HJ-FET, L to C Band Low Noise Amplifier |
| NE3510M04 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| NE3510M04-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE3510M04-T2 | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NE3510M04-T2-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
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