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参数资料
| 型号： | NE3510M04-T2-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 181K |
| 描述： | FET RF HFET 4GHZ 2V 15MA M04 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 4GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 97mA |
| 噪音数据： | 0.45dB |
| 电流 - 测试： | 15mA |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | 4-UMM 扁平引线 |
| 供应商设备封装： | F4TSMM，M04 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Data Sheet PG10676EJ01V0DS
8
NE3510M04
RECOMMENDED SOLDERING CONDITIONS
This product should be soldered and mounted under the following recommended conditions. For soldering
methods and conditions other than those recommended below, contact your nearby sales office.
Soldering
C
Soldering
Method
Condition
Symbol
onditions
Infrared Reflow Peak temperature (package surface temperature) : 260CC or below
:
10
seconds
or
less
Time
at
peak
temperature
Time at temperature of 220CC or higher : 60 seconds or less
Preheating time at 120 to 180CC
:
120G30 seconds
Maximum number of reflow processes : 3 times
Maximum chlorine content of rosin flux (% mass) : 0.2%(Wt.) or below
IR260
Partial Heating Peak temperature (terminal temperature) : 350CC or below
Soldering time (per side of device) : 3 seconds or less
Maximum chlorine content of rosin flux (% mass) : 0.2%(Wt.) or below
HS350
Caution Do not use different soldering methods together (except for partial heating).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NE3511S02-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 X to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE3511S02-T1C | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| NE3511S02-T1C-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE3511S02-T1D | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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