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参数资料
| 型号： | NE3510M04-T2-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 181K |
| 描述： | FET RF HFET 4GHZ 2V 15MA M04 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 4GHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 97mA |
| 噪音数据： | 0.45dB |
| 电流 - 测试： | 15mA |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | 4-UMM 扁平引线 |
| 供应商设备封装： | F4TSMM，M04 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Data Sheet PG10676EJ01V0DS
4
NE3510M04
Output Power P
out (1 tone)
(dBm)
Gain (dB)
Input Power Pin (1 tone)
(dBm)
Drain Current I
D
(mA)
Gate Current I
G
(mA)
GATE CURRENT vs. INPUT POWER
OUTPUT POWER, GAIN, DRAIN CURRENT,
vs. INPUT POWER
OUTPUT POWER, IM3,DRAIN CURRENT
Output Power P
out (1 tone)
(dBm)
3rd Order Intermodulation Distortion IM
3
(dBm)
Input Power Pin (1 tone)
(dBm)
Drain Current I
D
(mA)
–10–20
0–105
–10
–5
15
10
5
20
15
5
0
–5
10
Pout (1 tone)
IG
Gain
ID
60
50
40
30
20
10
f = 4 GHz, VDS
=
2V
ID
= 15 mA set (Non-RF)
–70–40
–10 00
1
0
–20
–30
30
20
–10
–20
–30
–40
–50
–60
10
0
f = 4 GHz, VDS
=
2V
ID
= 15 mA set (Non-RF)
Pout
IM3 (L)
IM3 (H)
IIP3= +4 dBm
ID
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
OIP3= +20 dBm
Remark
The graphs indicate nominal characteristics.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE3511S02-T1C-A | HJ-FET NCH 13.5DB S02 |
| NE3512S02-T1C-A | HJ-FET NCH 13.5DB S02 |
| NE3514S02-A | HJ-FET NCH 10DB S02 |
| NE3515S02-T1C-A | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 |
| NE3517S03-A | FET RF HJFET 20GHZ 4V 15MA S03 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE3511S02 | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| NE3511S02-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 X to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE3511S02-T1C | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| NE3511S02-T1C-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE3511S02-T1D | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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