收藏本站
参数资料
型号： NE3510M04-T2-A
厂商： CEL
文件页数： 8/11页
文件大小： 181K
描述： FET RF HFET 4GHZ 2V 15MA M04
标准包装： 3,000
晶体管类型： HFET
频率： 4GHz
增益： 16dB
电压 - 测试： 2V
额定电流： 97mA
噪音数据： 0.45dB
电流 - 测试： 15mA
电压 - 额定： 4V
封装/外壳： 4-UMM 扁平引线
供应商设备封装： F4TSMM，M04
包装： 带卷 (TR)
Data Sheet PG10676EJ01V0DS
6
NE3510M04
PACKAGE DIMENSIONS
FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04) (UNIT: mm)
PIN CONNECTIONS
1. Source
2. Drain
3. Source
4. Gate
0.59±0.05
0.11
+0.1
–0.05
(Bottom View)
3
4
2
1
1.25
2.0±0.1
1.30
(1.05)
0.60
0.65
0.65
0.65
1.30
1.25
2.0±0.1
2
1
3
4
1.25±0.1
2.05±0.1
0.30
+0.1
–0.05
0.40
+0.1
–0.05
0.30
+0.1
–0.05
0.30
+0.1
–0.05
V81
相关PDF资料
PDF描述
NE3511S02-T1C-A HJ-FET NCH 13.5DB S02
NE3512S02-T1C-A HJ-FET NCH 13.5DB S02
NE3514S02-A HJ-FET NCH 10DB S02
NE3515S02-T1C-A FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
NE3517S03-A FET RF HJFET 20GHZ 4V 15MA S03
相关代理商/技术参数
参数描述
NE3511S02 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE3511S02-A 功能描述:射频GaAs晶体管 X to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE3511S02-T1C 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE3511S02-T1C-A 功能描述:射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE3511S02-T1D 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*