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参数资料
| 型号： | NE3512S02-T1D-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 296K |
| 描述： | HJ-FET NCH 13.5DB S02 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 12GHz |
| 增益： | 13.5dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 70mA |
| 噪音数据： | 0.35dB |
| 电流 - 测试： | 10mA |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | 4-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | S02 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Data Sheet PG10592EJ01V0DS
2
NE3512S02
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (TA
= +25?C)
Parameter
Symbol
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Drain to Source Voltage
VDS
1
2
3
V
Drain Current
ID
5
10
15
mA
Input Power
Pin
?
?
0
dBm
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= +25?C, unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Gate to Source Leak Current
IGSO
VGS
= ?3
V
?
0.5
10
?A
Saturated Drain Current
IDSS
VDS
= 2 V, VGS
= 0
V
15
40
70
mA
Gate to Source Cutoff Voltage
VGS (off)
VDS
= 2 V, ID
= 100 ?A
?0.2
?0.7
?2.0
V
Transconductance
gm
VDS
= 2 V, ID
= 10 mA
40
55
?
mS
Noise Figure
NF
VDS
= 2 V, ID
= 10 mA, f = 12 GHz
?
0.35
0.5
dB
Associated Gain
Ga
12.5
13.5
?
dB
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PDF描述 |
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参数描述 |
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