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参数资料
| 型号： | NE3512S02-T1D-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 296K |
| 描述： | HJ-FET NCH 13.5DB S02 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 晶体管类型： | HFET |
| 频率： | 12GHz |
| 增益： | 13.5dB |
| 电压 - 测试： | 2V |
| 额定电流： | 70mA |
| 噪音数据： | 0.35dB |
| 电流 - 测试： | 10mA |
| 电压 - 额定： | 4V |
| 封装/外壳： | 4-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | S02 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Data Sheet PG10592EJ01V0DS
4
NE3512S02
S-PARAMETERS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NE3513M04-T2B | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain |
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