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参数资料
| 型号： | NE5511279A-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 372K |
| 描述： | MOSFET LD N-CHAN 7.5V 79A |
| 产品目录绘图： | NEx5 Series |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 900MHz |
| 增益： | 15dB |
| 电压 - 测试： | 7.5V |
| 额定电流： | 3A |
| 电流 - 测试： | 400mA |
| 功率 - 输出： | 40dBm |
| 电压 - 额定： | 20V |
| 封装/外壳： | 79A |
| 供应商设备封装： | 79A |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 577 (CN2011-ZH PDF) |
Data Sheet PU10322EJ01V0DS
5
NE5511279A
PACKAGE DIMENSIONS
79A (UNIT: mm)
79A PACKAGE RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT (UNIT: mm)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE5520379A-A | MOSFET LD N-CHAN 3.2V 79A |
| NE552R479A-A | MOSFET LD N-CHAN 3V 79A |
| NE5531079A-A | FET RF LDMOS 460MHZ 30V 79A |
| NE55410GR-AZ | MOSFET LD N-CHAN 28V 16-HTSSOP |
| NE650103M-A | MESFET GAAS 2.7GHZ 3M |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE5511279A-T1 | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 20V 3A 4-Pin Case 79A T/R |
| NE5511279A-T1A | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 20V 3A 4-Pin Case 79A T/R 制造商:California Eastern Laboratories 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 20V 3A 4-Pin Case 79A T/R |
| NE5511279A-T1-A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 UHF Band RF Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| NE5511279A-T1A-A | 制造商:CEL 制造商全称:CEL 功能描述:7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET |
| NE5512 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual high-performance operational amplifier |
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