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参数资料
| 型号： | NE5520379A-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 826K |
| 描述： | MOSFET LD N-CHAN 3.2V 79A |
| 产品目录绘图： | NEx5 Series |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 915MHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 3.2V |
| 额定电流： | 1.5A |
| 功率 - 输出： | 35.5dBm |
| 电压 - 额定： | 15V |
| 封装/外壳： | 79A |
| 供应商设备封装： | 79A |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 577 (CN2011-ZH PDF) |
Data Sheet PU10122EJ03V0DS
3
NE5520379A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= +25?C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Gate to Source Leak Current
IGSS
VGS
= 6.0 V
?
?
100
nA
Drain to Source Leakage Current
(Zero Gate Voltage Drain Current)
IDSS
VDS
= 8.5 V
?
?
100
nA
Gate Threshold Voltage
Vth
VDS
= 3.5 V, ID
= 1 mA
1.0
1.35
2.0
V
Transconductance
Gm
VDS
= 3.5 V, ID
= 0.8 to 1.0 A
?
2.5
?
S
Drain to Source Breakdown Voltage
BVDSS
IDSS
= 10 ?A
15
20
?
V
Thermal Resistance
Rth
Channel to Case
?
?
5
?C/W
Linear Gain
GL
f = 915 MHz, Pin
= 10 dBm,
VDS
= 3.2 V, VGS
= 2.5 V, Note
?
16.0
?
dB
Output Power
Pout
f = 915 MHz, Pin
= 25 dBm,
?
35.5
?
dBm
Drain Efficiency
?d
VDS
= 3.2 V, VGS
= 2.5 V, Note
?
68
?
%
Power Added Efficiency
?add
?
65
?
%
Linear Gain
GL
f = 1 785 MHz, Pin
= 10 dBm,
VDS
= 3.2 V, VGS
= 2.5 V, Note
?
8.5
?
dB
Output Power
Pout
f = 1 785 MHz, Pin
= 25 dBm,
31.0
33.0
?
dBm
Drain Efficiency
?d
VDS
= 3.2 V, VGS
= 2.5 V, Note
29
38
?
%
Power Added Efficiency
?add
?
35
?
%
Note
DC performance is 100% testing. RF performance is testing several samples per wafer.
Wafer rejection criteria for standard de
vices is 1 reject for several samples.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NE5520379A-EVPW09-A | 功能描述:射频开发工具 For NE5520379A-A Power at 900 MHz RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 产品:Wireless Modules 类型:Wireless Audio 工具用于评估:WYSAAVDX7 频率: 工作电源电压:3.4 V to 5.5 V |
| NE5520379A-T1A-A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 L&S Band LD-MOSFET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| NE5521 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:LVDT signal conditioner |
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