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参数资料
| 型号： | NE5520379A-A |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 826K |
| 描述： | MOSFET LD N-CHAN 3.2V 79A |
| 产品目录绘图： | NEx5 Series |
| 标准包装： | 1 |
| 晶体管类型： | LDMOS |
| 频率： | 915MHz |
| 增益： | 16dB |
| 电压 - 测试： | 3.2V |
| 额定电流： | 1.5A |
| 功率 - 输出： | 35.5dBm |
| 电压 - 额定： | 15V |
| 封装/外壳： | 79A |
| 供应商设备封装： | 79A |
| 包装： | 散装 |
| 产品目录页面： | 577 (CN2011-ZH PDF) |
Data Sheet PU10122EJ03V0DS
8
NE5520379A
PACKAGE DIMENSIONS
79A (UNIT: mm)
79A PACKAGE RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT (UNIT: mm)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE552R479A-A | MOSFET LD N-CHAN 3V 79A |
| NE5531079A-A | FET RF LDMOS 460MHZ 30V 79A |
| NE55410GR-AZ | MOSFET LD N-CHAN 28V 16-HTSSOP |
| NE650103M-A | MESFET GAAS 2.7GHZ 3M |
| NHD-0108BZ-FSY-YBW-3V3 | LCD MOD CHAR 1X8 Y/G TRANSFL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE5520379A-EVPW04 | 功能描述:射频模块 Silicon Medium Pwr LDMOS RoHS:否 制造商:Linx Technologies 产品:Transceiver Modules 频带:902 MHz to 928 MHz 输出功率:- 15.5 dBm to + 12.5 dBm 接口类型:UART 工作电源电压:- 0.3 VDC to + 5.5 VDC 传输供电电流:38.1 mA 接收供电电流:22.7 mA 天线连接器类型:U.FL 最大工作温度:+ 85 C 尺寸:1.15 mm x 0.63 mm x 0.131 mm |
| NE5520379A-EVPW04-A | 功能描述:射频开发工具 Silicon Medium Power LDMOS Evaluation Fixture RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 产品:Wireless Modules 类型:Wireless Audio 工具用于评估:WYSAAVDX7 频率: 工作电源电压:3.4 V to 5.5 V |
| NE5520379A-EVPW09-A | 功能描述:射频开发工具 For NE5520379A-A Power at 900 MHz RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 产品:Wireless Modules 类型:Wireless Audio 工具用于评估:WYSAAVDX7 频率: 工作电源电压:3.4 V to 5.5 V |
| NE5520379A-T1A-A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 L&S Band LD-MOSFET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| NE5521 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:LVDT signal conditioner |
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