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参数资料
| 型号： | NE651R479A-EVPW19 |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL BOARD NE651R479A 1.9GHZ |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | FET |
| 频率： | 1.9GHz |
| 适用于相关产品： | NE651R479A@1.9GHz |
| 已供物品： | 板 |
NE651R479A
NONLINEAR MODEL
SCHEMATIC
DRAIN
Ldpkg
L=0.001 nH
GATE
Lspkg
L=0.001 nH
Q1
Lg
L=1.45 nH
Ld
L=0.55 nH
Cdspkg
C=0.1 pF
Cdspkg
C=0.1 pF
FET NONLINEAR MODEL PARAMETERS
Parameters Q1 Parameters Q1
(1)
Lspkg
L=0.001 nH
SOURCE
VTO
VTOSC
ALPHA
BETA
GAMMA
-0.9255
0
1.5
0.964
0
RG
RD
RS
RGMET
KF
1.0
0.2
0.05
0
0
GAMMADC (2) 0.002
AF
1
Q
DELTA
1.5
0
TNOM
XTI
27
3
VBI
IS
0.6
1e-16
EG
VTOTC
1.43
0
UNITS
N
RIS
RID
TAU
1
0
0
30e-12
BETATCE
FFE
0
1
Parameter
capacitance
inductance
resistance
Units
picofarads
nanohenries
ohms
CGDO
CDS
RDB
CBS
CGSO (3)
(4)
DELTA1
DELTA2
FC
VBR
0.2e-12
60
100e-12
14e-12
1.1e-12
0.3
0.2
0.5
Infinity
MODEL RANGE
Frequency: 0.5 to 4 GHz
Bias: V DS = 2.2 V to 4.6 V, I D = 50 mA to 350 mA
Date: 6/02/2003
(1) Series IV Libra TOM Model
The parameter in Libra corresponds to the parameter in PSpice:
(2) GAMMADC GAMMA
(3) CGSO CGS
(4) CGDO CGD
05/06/2008
A Business Partner of NEC Electronics Corporation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE651R479A-EVPW24 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE651R479A-EVPW26 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 2.6 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE651R479A-EVPW35 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 3.5 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
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| NE651R479A-T1-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
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