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参数资料
| 型号： | NE651R479A-EVPW19 |
| 厂商： | CEL |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL BOARD NE651R479A 1.9GHZ |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | FET |
| 频率： | 1.9GHz |
| 适用于相关产品： | NE651R479A@1.9GHz |
| 已供物品： | 板 |
NE651R479A
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS (T A = 25?C)
j25
j50
j100
-20
j10
4.0
4.0
-22.5
-26
S12
-32
0
10
S11
S22
0.5
25
50
100
8
S21
-j10
0.5
14
-j25
-j50
-j100
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
V D = 5 V, I D = 100 mA
17.5
20
V D = 5 V, I D = 100 mA
FREQUENCY S 11
GHz MAG
ANG
MAG
S 21
ANG
MAG
S 12
ANG
MAG
S 22
ANG
K
MAG 1
(dB)
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
1.30
1.40
1.50
1.60
1.70
1.80
1.90
2.00
2.10
2.20
2.30
2.40
2.50
2.60
2.70
2.80
2.90
3.00
3.10
3.20
3.30
3.40
3.50
3.6
3.7
3.8
3.9
4.0
0.905
0.905
0.904
0.904
0.904
0.903
0.903
0.903
0.902
0.902
0.901
0.900
0.900
0.899
0.898
0.898
0.897
0.896
0.896
0.895
0.895
0.894
0.894
0.893
0.892
0.891
0.890
0.889
0.889
0.888
0.887
0.886
0.886
0.885
0.885
0.882
-171.35
-176.45
179.28
172.25
172.25
169.17
166.26
163.57
160.94
158.40
155.94
153.50
151.13
148.74
146.42
144.10
141.78
139.45
137.20
134.95
132.69
130.42
128.13
125.84
123.53
121.12
118.74
116.40
113.93
111.57
109.17
106.64
1.04.11
101.52
98.85
95.89
7.390
6.174
5.310
4.650
4.144
3.729
3.393
3.115
2.878
2.675
2.497
2.344
2.207
2.087
1.978
1.882
1.794
1.714
1.641
1.575
1.514
1.458
1.406
1.360
1.315
1.273
1.237
1.199
1.167
1.134
1.105
1.078
1.052
1.027
1.005
0.985
85.67
81.57
77.91
74.54
71.29
68.22
65.17
62.32
59.48
56.63
53.91
51.18
48.51
45.82
43.18
40.54
37.96
35.31
32.77
30.22
27.72
25.19
22.65
20.17
17.71
15.17
12.88
10.24
7.72
5.26
279
0.35
-2.06
-4.48
-6.81
-9.16
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.030
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.031
0.032
0.032
0.032
3.68
1.08
-0.70
-2.57
-4.06
-5.54
-7.10
-8.31
-9.72
-11.05
-12.24
-13.54
-14.55
-16.11
-17.19
-18.30
-19.09
-20.36
-21.58
-22.87
-24.28
-25.45
-26.78
-27.62
-29.24
-30.07
-31.40
-31.97
-33.46
-34.38
-35.71
-37.09
-38.46
-39.84
-40.94
-42.41
0.664
0.667
0.669
0.669
0.670
0.670
0.671
0.672
0.672
0.673
0.674
0.675
0.675
0.676
0.677
0.679
0.680
0.680
0.682
0.684
0.686
0.687
0.689
0.690
0.693
0.695
0.699
0.699
0.703
0.704
0.708
0.711
0.715
0.719
0.725
0.734
-178.52
178.06
175.09
172.45
170.01
167.69
165.50
163.46
161.46
159.54
157.65
155.81
154.03
152.22
150.61
148.90
147.27
145.62
144.10
142.52
141.08
139.60
138.08
136.71
135.40
133.97
132.83
131.33
130.05
128.87
127.72
126.68
125.68
124.84
124.23
123.96
0.22
0.26
0.31
0.36
0.40
0.45
0.49
0.54
0.59
0.63
0.68
0.73
0.77
0.82
0.87
0.92
0.97
1.02
1.06
1.11
1.14
1.92
1.23
1.28
1.32
1.37
1.45
1.47
1.49
1.54
1.57
1.61
1.62
1.60
1.61
1.63
23.77
22.99
22.34
21.76
21.26
20.80
20.39
20.02
19.68
19.36
19.06
18.79
18.52
18.28
18.05
17.62
17.62
16.50
15.73
15.06
14.60
14.07
13.69
13.25
12.90
12.51
12.17
11.83
11.63
11.30
11.07
10.84
10.68
10.51
10.40
10.25
Note:
1. Gain calculation:
K -1
, K = 1 + | ? | - |S 11 | - |S 22 | , ? = S 11 S 22 - S 21 S 12
MAG =
|S 21 |
|S 12 |
( K ±
2
). When K ≤ 1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S 21 |
|S 12 |
2 2 2
2 |S 12 S 21 |
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NE651R479A-EVPW24 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE651R479A-EVPW26 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 2.6 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE651R479A-EVPW35 | 功能描述:射频GaAs晶体管 For NE651R479A-A Power at 3.5 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| NE651R479A-T1 | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans JFET N-CH 8V 1A 4-Pin Case 79A T/R |
| NE651R479A-T1-A | 功能描述:射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
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