参数资料
| 型号： | NIF5002NT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 42V 2A SOT223 |
| 产品变化通告： | Specification Change MSL Updated 2/April/2007 Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HDPlus™ |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 165 毫欧 |
| 电流 - 峰值输出： | 2A |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NIF5002NT1OSCT |
NIF5002N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
10
1
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
1.0
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
1 ms
10 ms
0.1
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
dc
0.01
0.01
PACKAGE LIMIT
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0.1
1.0
10
100
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Diode Forward Voltage vs. Current
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
SINGLE PULSE
1.0E?03
1.0E?02
1.0E?01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
t, TIME (s)
Figure 9. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
NIF5002NT1
NIF5002NT1G
NIF5002NT3
NIF5002NT3G
Device
Package
SOT?223
SOT?223
(Pb?Free)
SOT?223
SOT?223
Shipping ?
1000 / Tape & Reel
1000 / Tape & Reel
4000 / Tape & Reel
4000 / Tape & Reel
(Pb?Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NIF5002NT1G | 功能描述:MOSFET 42V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NIF5002NT1G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:NIF Series N-Channel 42 V 165 mOhm 1.1 W SMT Self-Protected FET - SOT-223 |
| NIF5002NT3 | 功能描述:MOSFET 42V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NIF5002NT3G | 功能描述:MOSFET NFET 1.4A 40V HD+ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NIF5003N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self−Protected FET with Temperature and Current Limit |
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