参数资料
型号: NIS5112D1R2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/9页
文件大小: 410K
描述: IC ELECTRONIC FUSE HOTSWAP 8SOIC
标准包装: 1
功能: 电子保险丝
输入电压: 9 V ~ 18 V
电流 - 输出: 2A
工作温度: -40°C ~ 175°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: NIS5112D1R2GOSCT
NIS5112
http://onsemi.com
4
Figure 2. Current Limit Adjustment
100
10
1
0
10
100
1000
R
extILimit
 (W)
I
LIMIT
_SS
I
LIMIT
_OL
140
120
40
0
100
1000
TIME (ms)
1/2 in
2
, 1 oz copper,
double sided board
T
A
 = 25癈
Figure 3. Overload vs. Shutdown Time
10000
10
1
100
80
60
20
Figure 4. Typical Application Circuit
Source
Current Limit
Enable/
Timer   GND    dV/dt
Enable
GND
+12 V
Load
NIS5112
1 mF
Enable signal is compatible
with open collector devices
as well as most families.
56 W
(Typical operating conditions: V
in
 = 12 V, R
ILimit
 = 56 W, C
dV/dt
 = 1 mF)
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