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参数资料
| 型号： | NP36N055SLE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 36A TO-252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP36N055HLE, NP36N055ILE, NP36N055SLE
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
Figure1. DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
100
80
140
120
100
Figure2. TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
80
60
60
40
20
40
20
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
T C - Case Temperature - ?C
Figure3. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T C - Case Temperature - ?C
Figure4. SINGLE AVALANCHE ENERGY
1000
120
DERATING FACTOR
n)
S(
R D t V G
ite V)
Lim 10
=
DC
Lim o e
ite r D
iss
i a
t i o
1m
0 μ
100
10
(a
o
S
d
I D(DC)
P
w
d
I D(pulse)
p
n
s
PW
10
=1
s
0 μ
s
100
80
60
108 mJ
I AS = 33 A
36 A
1
T C = 25?C
40
20 12 mJ
Single Pulse
0.1
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS - Drain to Source Voltage - V
Starting T ch - Starting Channel Temperature - ?C
Figure5. TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
100
10
1
0.1
Single Pulse
R th(ch-A) = 125 ?C /W
R th(ch-C) = 1.25 ?C /W
0.01
10 μ
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
T C = 25 ?C
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet D14156EJ3V0DS
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP36P04KDG-E1-AY | MOSFET P-CH -40V -36A TO-263 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NP36N10SDE-E1-AY | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NP36P04KDG | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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