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参数资料
| 型号： | NP36N055SLE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 36A TO-252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP36N055HLE, NP36N055ILE, NP36N055SLE
Figure12. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
Figure13. SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
45
40
Pulsed
100
Pulsed
35
30
10
V GS = 10 V
25
20
V GS = 10 V
5V
1
V GS = 0 V
4.5 V
15
10
5
0.1
0
? 50
0
50
100
I D = 18 A
150
0.01
0
0.5
1.0
1.5
T ch - Channel Temperature - ?C
Figure14. CAPACITANCE vs. DRAIN TO
V SD - Source to Drain Voltage - V
Figure15. SWITCHING CHARACTERISTICS
10000
1000
SOURCE VOLTAGE
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C iss
1000
100
t f
t d(off)
t d(on)
C oss
100
C rss
10
t r
1
10
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
Figure16. REVERSE RECOVERY TIME vs.
I D - Drain Current - A
Figure17. DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
DRAIN CURRENT
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
80
70
16
14
100
60
50
V DD = 44 V
28 V
11 V
V GS
12
10
40
30
8
6
10
20
10
V DS
I D = 36 A
4
2
1
0.1
1.0
10
100
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
I F - Drain Current - A
Data Sheet D14156EJ3V0DS
Q G - Gate Charge - nC
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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