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参数资料
| 型号： | NP80N03KDE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 72nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP80N03EDE, NP80N03KDE, NP80N03CDE, NP80N03DDE, NP80N03MDE, NP80N03NDE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 ° C)
Drain to Source Voltage (V GS = 0 V)
Gate to Source Voltage (V DS = 0 V)
V DSS
V GSS
30
± 20
V
V
Drain Current (DC) (T C = 25 ° C)
Note1
I D(DC)
± 80
A
Drain Current (pulse)
Note2
I D(pulse)
± 320
A
Total Power Dissipation (T C = 25 ° C)
Total Power Dissipation (T A = 25 ° C)
Channel Temperature
Storage Temperature
P T1
P T2
T ch
T stg
120
1.8
175
? 55 to + 175
W
W
° C
° C
Single Avalanche Current
Single Avalanche Energy
Note3
Note3
I AS
E AS
50/40/9
2.5/160/400
A
mJ
Notes 1. Calculated constant current according to MAX. allowable channel temperature.
2. PW ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
3. Starting T ch = 25 ° C, R G = 25 Ω , V GS = 20 → 0 V (See Figure 4. )
THERMAL RESISTANCE
Channel to Case Thermal Resistance
Channel to Ambient Thermal Resistance
R th(ch-C)
R th(ch-A)
1.25
83.3
° C/W
° C/W
2
Data Sheet D15310EJ3V0DS
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PDF描述 |
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| NP80N03KLE-E2-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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