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参数资料
| 型号： | NP80N03KDE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 72nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP80N03EDE, NP80N03KDE, NP80N03CDE, NP80N03DDE, NP80N03MDE, NP80N03NDE
Figure12. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs
CHANNEL TEMPERATURE
Figure13. SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
12
Pulsed
1000
Pulsed
10 V GS = 4.5 V
8
5V
10 V
100 V GS = 10 V
6
10
0V
4
1
2
0
? 50
0
50
100
I D = 40 A
150
0.1
0
0.5
1.0
1.5
T ch - Channel Temperature - ° C
Figure14. CAPACITANCE vs. DRAIN TO
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Figure15. SWITCHING CHARACTERISTICS
10000
SOURCE VOLTAGE
V GS = 0 V
1000
f = 1 MHz
t f
C iss
1000
100
C oss
C rss
100
10
t r
t d(off)
t d(on)
V DD = 15 V
V GS = 10 V
1 R G = 1 Ω
10
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
Figure16. REVERSE RECOVERY TIME vs.
I D - Drain Current - A
Figure17. DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
DIODE FORWARD CURRENT
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
40
35
30
V GS
16
14
12
100
10
25
20
15
10
5
V DD = 24 V
15 V
6V
V DS
10
8
6
4
2
I D = 80 A
1
0.1
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
6
I F - Diode Forward Current - A
Data Sheet D15310EJ3V0DS
Q G - Gate Charge - nC
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PDF描述 |
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