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参数资料
| 型号： | NP80N03KDE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 72nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP80N03EDE, NP80N03KDE, NP80N03CDE, NP80N03DDE, NP80N03MDE, NP80N03NDE
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
Figure1. DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
100
80
140
120
100
Figure2. TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
80
60
60
40
20
40
20
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
T C - Case Temperature - ° C
Figure3. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
1000
450
T C - Case Temperature - ° C
Figure4. SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
ite
n) Lim 0 V)
R D V GS =
1m
Lim w r
i e D s
t d i s
ati
100
10
(
S(o
d
I D(DC)
e
I D(pulse)
Po DC
ip
on
10
s
PW
0 μ s
=1
0 μ
s
400
350
300
250
200
400 mJ
I AS = 9 A
40 A
50 A
160 mJ
150
1
100
T C = 25 ° C
Single pulse
0.1
0.1
1 10
100
50
0
25
2.5 mJ
50
75
100
125
150
175
V DS - Drain to Source Voltage - V
Starting T ch - Starting Channel Temperature - ° C
Figure5. TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
100
10
1
0.1
Single pulse
R th(ch-A) = 83.3 ° C/W
R th(ch-C) = 1.25 ° C/W
0.01
10 μ
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
4
Data Sheet D15310EJ3V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| NP80N03KLE-E2-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP80N03MDE | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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