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参数资料
| 型号： | NP80N03KDE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 72nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP80N03EDE, NP80N03KDE, NP80N03CDE, NP80N03DDE, NP80N03MDE, NP80N03NDE
Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
Figure7. DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1000
Pulsed
400
350
Pulsed
100
300
250
V GS = 10 V
10
1
T A = ? 50 ° C
25 ° C
75 ° C
150 ° C
175 ° C
200
150
100
4.5 V
5V
50
0.1
1
2
3
4
5
6
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
V GS - Gate to Source Voltage - V
Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V DS - Drain to Source Voltage - V
Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
100
10
1
V DS = 10 V
Pulsed
T A = 175 ° C
75 ° C
25 ° C
? 50 ° C
50
40
30
Pulsed
20
0.1
10
I D = 40 A
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
I D - Drain Current - A
Figure10. DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
V GS - Gate to Source Voltage - V
Figure11. GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
30
20
Pulsed
3.0
2.5
2.0
V DS = V GS
I D = 250 μ A
1.5
V GS = 4.5 V
10
5V
10 V
1.0
0.5
0
1
10
100
1000
0
? 50
0
50
100
150
I D - Drain Current - A
Data Sheet D15310EJ3V0DS
T ch - Channel Temperature - ° C
5
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PDF描述 |
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