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参数资料
| 型号： | NP80N04PUG-E1B-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 135nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NP80N04PUG-E1B-AYDKR |
NP80N04NUG, NP80N04PUG
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 ° C)
Drain to Source Voltage (V GS = 0 V)
Gate to Source Voltage (V DS = 0 V)
Drain Current (DC) (T C = 25 ° C)
V DSS
V GSS
I D(DC)
40
± 20
± 80
V
V
A
Drain Current (pulse)
Note1
I D(pulse)
± 300
A
Total Power Dissipation (T C = 25 ° C)
Total Power Dissipation (T A = 25 ° C)
Channel Temperature
Storage Temperature
P T1
P T2
T ch
T stg
115
1.8
175
? 55 to + 175
W
W
° C
° C
Repetitive Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Note2
Note2
I AR
E AR
37
137
A
mJ
Notes 1. PW ≤ 10 μ s, Duty Cycle ≤ 1%
2. T ch ≤ 150 ° C, R G = 25 Ω
THERMAL RESISTANCE
Channel to Case Thermal Resistance
Channel to Ambient Thermal Resistance
R th(ch-C)
R th(ch-A)
1.30
83.3
° C/W
° C/W
2
Data Sheet D19799EJ1V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D75J-040.0M | TCXO 40.00000 MHZ 3.3V LVCMOS |
| TA20221603DH | SCR PHASE CTRL 2200V 1600A |
| C781PN | THYRISTOR DISC 1800V 2500A TBK |
| R7S02012XX | RECTIFIER 2000V 1200A |
| R7221605ASOO | RECTIFIER FAST REC 1600V 500A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP80N04PUG-E2B-AY | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP80N055 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| NP80N055CHE | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-220AB |
| NP80N055CHE-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| NP80N055CHE-E1-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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