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参数资料
| 型号： | NP80N04PUG-E1B-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 135nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NP80N04PUG-E1B-AYDKR |
NP80N04NUG, NP80N04PUG
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
Gate to Source Threshold Voltage
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(th)
TEST CONDITIONS
V DS = 40 V, V GS = 0 V
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
V DS = V GS , I D = 250 μ A
MIN.
2.0
TYP.
MAX.
1
± 100
4.0
UNIT
μ A
nA
V
Forward Transfer Admittance
Note
| y fs |
V DS = 5 V, I D = 35 A
25
50
S
Drain to Source On-state Resistance
Note
R DS(on)
V GS = 10 V,
NP80N04NUG
3.6
4.8
m Ω
I D = 40 A
NP80N04PUG
3.2
4.5
m Ω
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain Charge
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q G
Q GS
Q GD
V DS = 25 V,
V GS = 0 V,
f = 1 MHz
V DD = 20 V, I D = 40 A,
V GS = 10 V,
R G = 0 Ω
V DD = 32 V,
V GS = 10 V,
I D = 80 A
4900
480
310
32
23
65
11
90
21
31
7350
720
560
70
58
130
28
135
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Note
V F(S-D)
t rr
Q rr
I F = 80 A, V GS = 0 V
I F = 80 A, V GS = 0 V,
di/dt = 100 A/ μ s
0.92
40
44
1.5
V
ns
nC
Note Pulsed test
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG.
D.U.T.
R G = 25 Ω
50 Ω
L
V DD
PG.
D.U.T.
R G
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS
0
10%
V GS
90%
V GS = 20 → 0 V
V DS
90%
90%
V DD
I D
I AS
BV DSS
V DS
V GS
0
τ
V DS
Wave Form
V DS
0
t d(on)
10%
t r
10%
t d(off)
t f
Starting T ch
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t on
t off
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
D.U.T.
I G = 2 mA
R L
PG.
50 Ω
V DD
Data Sheet D19799EJ1V0DS
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NP80N04PUG-E2B-AY | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP80N055 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| NP80N055CHE | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-220AB |
| NP80N055CHE-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| NP80N055CHE-E1-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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