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参数资料
| 型号： | NP80N04PUG-E1B-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 135nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NP80N04PUG-E1B-AYDKR |
NP80N04NUG, NP80N04PUG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
10
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
10
8
V GS = 10 V
Pulsed
8
V GS = 10 V
Pulsed
6
4
2
0
NP80N04NUG
6
4
2
0
NP80N04PUG
1
10
100
1000
1
10
100
1000
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
10
I D = 40 A
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
10
I D = 40 A
8
Pulsed
8
Pulsed
6
4
2
0
NP80N04NUG
6
4
2
0
NP80N04PUG
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
V GS - Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
10
V GS = 10 V
V GS - Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
10
V GS = 10 V
8
I D = 40 A
Pulsed
8
I D = 40 A
Pulsed
6
4
2
0
NP80N04NUG
6
4
2
0
NP80N04PUG
-75
-25
25
75
125
175
225
-75
-25
25
75
125
175
225
6
T ch - Channel Temperature - ° C
Data Sheet D19799EJ1V0DS
T ch - Channel Temperature - ° C
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NP80N055CHE-E1-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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