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参数资料
| 型号： | NP82N06PDG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 82A TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 82A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.7 毫欧 @ 41A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 106nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP82N06PDG
300
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V GS = 10 V
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
1000
V DS = 10 V
V GS = 5 V
100
Pulsed
200
10
T A = 175°C
1
150°C
25°C
100
Pulsed
0.1
0.01
125°C
85°C
? 25°C
? 55°C
0
0
2
4
6
8
10
0.001
0
1
2
3
4
5
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
2.5
100
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V DS = 10 V
Pulsed
2.0
T A = ? 55°C
1.5
1.0
0.5
0.0
V DS = V GS
I D = 250 μ A
10
1
? 25°C
25°C
85°C
125°C
150°C
175°C
-100
0
100
200
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
10
9
8
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
12
11
10
7
6
5
4
3
2
V GS = 5 V
V GS = 10 V
9
8
7
6
5
4
3
I D = 82 A
I D = 41 A
I D = 16.4 A
1
0
1
Pulsed
10
100
1000
2
1
0
0
Pulsed
5
10
15
20
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D18227EJ1V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NP82N06PLG-E2-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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