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参数资料
| 型号： | NP82N06PDG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 82A TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 82A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.7 毫欧 @ 41A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 106nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP82N06PDG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
14
I D = 41 A
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
12
10
8
6
4
Pulsed
V GS = 5 V
V GS = 10 V
1000
C iss
C oss
2
V GS = 0 V
C rss
0
100
f = 1 MHz
-100
-50
0
50
100
150
200
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
60
12
50
V DD = 48 V
V DD = 30 V
10
100
t d(off)
40
V DD = 12 V
8
t d(on)
30
6
10
V DD = 30 V
V GS = 10 V
t f
t r
20
10
V DS
V GS
4
2
R G = 0 Ω
I D = 82 A
1
0
0
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
120
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
1000
V GS = 10 V
100
V GS = 5 V
10
V GS = 0 V
1
0.1
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
di/dt = 100 A/ μ s
0.01
Pulsed
10
V GS = 0 V
0
0.5
1
1.5
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D18227EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NP82N06PLG-E2-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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