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参数资料
| 型号： | NP82N06PDG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 82A TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 82A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.7 毫欧 @ 41A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 106nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP82N06PDG
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
TO-263 (MP-25ZP)
No plating
10.0 ±0.3
7.88 MIN.
4.45 ±0.2
1.3 ±0.2
4
0.025
0.5
0.6 ±0
.2
to 0.25
0.75 ±0.2
2.54
0 to 8
?
0.25
1 2
3
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
Body
Gate
Diode
Source
Remark Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately
degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as
possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred.
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Data Sheet D18227EJ1V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP83P04PDG-E1-AY | MOSFET P-CH -40V 83A TO-263 |
| NP83P06PDG-E1-AY | MOSFET P-CH -60V 83A TO-263 |
| NP84N075MUE-S18-AY | MOSFET N-CH 75V 84A TO-220 |
| NP88N03KDG-E1-AY | MOSFET N-CH 30V 88A TO-263 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP82N06PDG-E2-AY | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP82N06PLG | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP82N06PLG-E1-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP82N06PLG-E2-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP82N10PUF | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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