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参数资料
| 型号： | NP84N075KUE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 84A TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 84A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.5 毫欧 @ 42A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP84N075EUE, NP84N075KUE, NP84N075CUE, NP84N075DUE, NP84N075MUE, NP84N075NUE
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
Figure1. DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
100
80
280
240
200
Figure2. TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
160
60
120
40
20
80
40
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
T C - Case Temperature - ° C
Figure3. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T C - Case Temperature - ° C
Figure4. SINGLE AVALANCHE ENERGY
n)
(o
D
ite
10
Po
Lim we
rD
iss
ite
ipa
tio
PW
0 μ
1m
0 μ
1000
100
10
R GS
S
(V
d
Lim V)
=
I D(DC)
d
DC
n
I D(pulse)
10
s
s
=1
s
350
300
250
200
DERATING FACTOR
333 mJ
250 mJ
I AS = 19 A
52 A
150
73 A
1
100
T C = 25 ° C
50
50 mJ
0.1
0.1
Single Pulse
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS - Drain to Source Voltage - V
Starting T ch - Starting Channel Temperature - ° C
Figure5. TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
100
10
1
0.1
R th(ch-A) = 83.3 ° C/W
R th(ch-C) = 0.75 ° C/W
0.01
10 μ
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
Single Pulse
100 1000
PW - Pulse Width - s
4
Data Sheet D14675EJ4V0DS
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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