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参数资料
| 型号： | NP84N075KUE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 84A TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 84A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.5 毫欧 @ 42A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP84N075EUE, NP84N075KUE, NP84N075CUE, NP84N075DUE, NP84N075MUE, NP84N075NUE
Figure12. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
Figure13. SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
30
25
20
Pulsed
V GS = 10 V
1000
100
Pulsed
V GS = 10 V
0V
15
10
5
10
1
0
? 50
0
50
100
I D = 42 A
150
0.1
0
0.5
1.0
1.5
T ch - Channel Temperature - ° C
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
10000
1000
100
Figure14. CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
C iss
C oss
C rss
1000
100
10
Figure15. SWITCHING CHARACTERISTICS
t f
t d(off)
t d(on)
t r
V DD = 38 V
R G = 0 Ω
V GS = 0 V
f = 1 MHz
10
0.1
1
10
100
V GS = 10 V
1
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
Figure16. REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
I D - Drain Current - A
Figure17. DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
100
80
V DD = 60 V
V GS
10
8
38 V
100
10
60
40
15 V
6
4
20
V DS
2
1
0.1
1.0
10
100
0
0
20
40
60
80
I D = 84 A
100
0
120
6
I F - Diode Forward Current - A
Data Sheet D14675EJ4V0DS
Q G - Gate Charge - nC
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