参数资料
型号: NP84N075KUE-E1-AY
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 9/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 75V 84A TO-263
标准包装: 800
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 84A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12.5 毫欧 @ 42A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 8400pF @ 25V
功率 - 最大: 1.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263
包装: 带卷 (TR)
NP84N075EUE, NP84N075KUE, NP84N075CUE, NP84N075DUE, NP84N075MUE, NP84N075NUE
<R>
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1)TO-263 (MP-25ZJ)
Note
2)TO-263 (MP-25ZK)
10 TYP.
4.8 MAX.
1.3 ± 0.2
No plating
10.0 ± 0.3
7.88 MIN.
4.45 ± 0.2
1.3 ± 0.2
4
4
0.025 to
0.25
1
2
3
P.
.5R
0.8
0 to
1.4 ± 0.2
0.7 ± 0.2
2.54 TYP.
0
2.54 TYP.
TY
R
TY
P.
0.5 ± 0.2
2.54
0.75 ± 0.2
0.5 ± 0.2
8 ο
1.Gate
2.Drain
1
2
3
0.25
3.Source
4.Fin (Drain)
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
3)TO-220 (MP-25)
Note
4)TO-262 (MP-25 Fin Cut)
Note
10.6 MAX.
10.0 TYP.
φ 3.6 ± 0.2
4.8 MAX.
1.3 ± 0.2
10 TYP.
4.8 MAX.
1.3 ± 0.2
4
4
1
2
3
1 2 3
1.3 ± 0.2
1.3 ± 0.2
0.75 ± 0.1
0.5 ± 0.2
2.8 ± 0.2
0.75 ± 0.3
2.54 TYP.
2.54 TYP.
0.5 ± 0.2
2.8 ± 0.2
2.54 TYP.
2.54 TYP.
1.Gate
2.Drain
3.Source
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
4.Fin (Drain)
Note Not for new design
Data Sheet D14675EJ4V0DS
7
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B32561J1684J FILM CAP 0.68UF 5% 100V
IXTP98N075T MOSFET N-CH 75V 98A TO-220
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