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参数资料
| 型号： | NP88N03KDG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 88A TO-263 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.4 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NP88N03KDG-E1-AYDKR |
NP88N03KDG
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
120
100
80
60
40
20
0
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
240
200
160
120
80
40
0
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
1000
T C - Case Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
I D(pulse) = 352 A
PW = 100 μ s
T C - Case Temperature - ° C
100
I D(DC) = 88 A
R DS(on) Limited
(at V GS = 10 V)
10
1
0.1
T C = 25°C
Single pulse
DC
1 ms
10 ms
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
100
10
R th(ch-A) = 83.3°C/W
1
R th(ch-C) = 0.75°C/W
0.1
Single pulse
10 μ
0.01
100 μ
1m
10 m 100 m 1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet D17404EJ3V0DS
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP88N03KUG-E1-AY | MOSFET N-CH 30V 88A TO-263 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NP88N03KUG-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 88A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP88N03KUG-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Transistor,FET,Nch,30V/88A |
| NP88N04CHE | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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