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参数资料
| 型号： | NP88N03KDG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 88A TO-263 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.4 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NP88N03KDG-E1-AYDKR |
NP88N03KDG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
5
4.5
4
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100000
V GS = 0 V
f = 1 MHz
3.5
3
2.5
2
1.5
1
V GS = 4.5 V
10 V
I D = 44 A
10000
1000
C iss
C oss
C rss
0.5
0
Pulsed
100
-100
-50
0
50
100
150
200
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
10000
30
12
V DD = 15 V
V GS = 10 V
R G = 0 ?
25
V DD = 24 V
15 V
I D = 88 A
10
1000
100
t r
t d(off)
20
15
10
V DD = 6 V
I D = 65 A
V GS
8
6
4
t d(on)
t f
5
V DS
2
10
0
0
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100 125 150 175 200
1000
I D - Drain Current – A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V GS = 10 V
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
100
10
1
4.5 V
0V
0.1
0.01
Pulsed
10
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D17404EJ3V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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PDF描述 |
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