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参数资料
| 型号： | NP88N03KDG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 88A TO-263 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.4 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NP88N03KDG-E1-AYDKR |
NP88N03KDG
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
TO-263 (MP-25ZK)
10.0±0.3
4.45±0.2
No plating
7.88 MIN.
4
0.025 to
0.25
1.3±0.2
0.75±0.2
0 .5 ±
0.2
2.54
0 to
8 o
0.25
1
2
3
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
Gate
Body
Diode
Source
Remark Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately
degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as
possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred.
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Data Sheet D17404EJ3V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP88N03KUG-E1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| NP88N03KUG-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 88A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP88N03KUG-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Transistor,FET,Nch,30V/88A |
| NP88N04CHE | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| NP88N04CHE-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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