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参数资料
| 型号： | NP88N03KDG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 88A TO-263 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.4 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NP88N03KDG-E1-AYDKR |
NP88N03KDG
400
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
1000
350
300
250
200
150
100
50
0
Pulsed
V GS = 10 V
4.5 V
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V DS = 10 V
Pulsed
T A = 175°C
125°C
85°C
25°C
? 55°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
1
2
3
4
5
6
2.5
2
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
100
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
T A = ? 55°C
25°C
85°C
1.5
1
0.5
V GS = V DS
10
125°C
175°C
V DS = 10 V
0
I D = 250 μ A
1
Pulsed
-100
-50
0
50
100
150
200
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
6
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
10
5
Pulsed
9
8
Pulsed
4
3
V GS = 4.5 V
7
6
5
I D = 44 A
4
2
1
0
10 V
3
2
1
0
1
10
100
1000
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D17404EJ3V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NP88N03KUG-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Transistor,FET,Nch,30V/88A |
| NP88N04CHE | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| NP88N04CHE-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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