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参数资料
| 型号： | NP90N04VUG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH TO-252 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 45A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 135nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NP90N04VUG-E1-AYDKR |
NP90N04VUG
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
120
100
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
125
100
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
80
75
60
40
20
0
50
25
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
1000
T C - Case Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T C - Case Temperature - ° C
n)
DS
G
(V
it e
Lim V )
=1
=1
100
R
(o
S
d
i 0
I D(DC)
DC
I D(pulse)
PW
i 0
0
μ s
10
1
T C = 25 ° C
1 ms
10 ms
0.1
Single Pulse
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
100
R th(ch-A) = 125 ° C/W
10
R th(ch-C) = 1.43 ° C/W
1
0.1
Single Pulse
0.01
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet D19545EJ1V0DS
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP90N06VLG-E1-AY | MOSFET N-CH 60V 90A TO-252 |
| NPC-1210-100G/A/D | SENSOR PRES 100PSIA 0-100MV DIP |
| NPC-1220-100G/A/D | SENSOR PRES 100PSIA 0-50MV DIP |
| NPC-410-100G/A/D | SENSOR PRES 100PSIA 0-100MV DIP |
| NPP-301B-700A | SENSOR PRES 100PSIA SO8 SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP90N04VUK | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP90N04VUK-E1-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:POWER DEVICE E AUTOMOTIVE MOS MP-3ZP - Tape and Reel 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 40V 90A TO-220 |
| NP90N04VUK-E2-AY | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP90N055MUK | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP90N055MUK-S18-AY | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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