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参数资料
| 型号： | NP90N04VUG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH TO-252 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 45A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 135nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NP90N04VUG-E1-AYDKR |
NP90N04VUG
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
TO-252 (MP-3ZP)
1.13
4
6.5 ± 0.2
5.1 TYP.
4.3 MIN.
2.3 ± 0.1
0.5 ± 0.1
No Plating
1
2
3
No Plating
1.14 MAX.
2.3
2.3
0.76 ± 0.12
0 to 0.25
0.5 ± 0.1
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
Body
1.0
Gate
Diode
Source
Remark Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately
degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as
possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred.
6
Data Sheet D19545EJ1V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP90N06VLG-E1-AY | MOSFET N-CH 60V 90A TO-252 |
| NPC-1210-100G/A/D | SENSOR PRES 100PSIA 0-100MV DIP |
| NPC-1220-100G/A/D | SENSOR PRES 100PSIA 0-50MV DIP |
| NPC-410-100G/A/D | SENSOR PRES 100PSIA 0-100MV DIP |
| NPP-301B-700A | SENSOR PRES 100PSIA SO8 SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP90N04VUK | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP90N04VUK-E1-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:POWER DEVICE E AUTOMOTIVE MOS MP-3ZP - Tape and Reel 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 40V 90A TO-220 |
| NP90N04VUK-E2-AY | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP90N055MUK | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP90N055MUK-S18-AY | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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