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参数资料
| 型号： | NRVBS360T3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 111K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 3A 60V SMC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 740mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 150µA @ 60V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AB，SMC |
| 供应商设备封装： | SMC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MBRS360T3G, MBRS360BT3G, NRVBS360T3G, NRVBS360BT3G
http://onsemi.com
4
TL, LEAD TEMPERATURE (°C)
Figure 5. Current Derating Figure 6. Forward Power Dissipation
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
0
01230.5
1.5
2.5
3.5
4
IO, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
2.5
4.5 5
P
FO
, AVERAGE POWER DISSIPATION (W)
SQUARE WAVE
dc
0.5
1
1.5
2
3
4
RJL
= 15
°C/W
SQUARE
WAVE
dc
Figure 7. Typical Capacitance
1000
10
010203040 50 70
60
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
100
C, CAPACITANCE (pF)
TJ
= 25
°C
3.5
TJ
= 175
°C
0
1
2
3
4
5
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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