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参数资料
| 型号： | NTA4153NT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416 |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 915mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.82nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 110pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75，SOT-416 |
| 供应商设备封装： | SC-75，SOT-416 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTA4153N, NTE4153N
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
5
4
Q T
0.6
0.5
V GS = 0 V
0.4
3
0.3
2
1
Q GS
Q GD
I D = 0.2 A
T A = 25 ° C
0.2
0.1
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate?to?Source Voltage vs. Total
Gate Charge
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Diode Forward Voltage vs. Current
1.0
0.1
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 9. Normalized Thermal Response
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTA7002NT1 | MOSFET N-CH 30V 154MA SOT-416 |
| NTB13N10T4G | MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK |
| NTB23N03RT4G | MOSFET PWR N-CHAN 25V 23A D2PAK |
| NTB25P06G | MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK |
| NTB30N06T4 | MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTA4153NT1G | 功能描述:MOSFET 20V 915mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTA4153NT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:N CHANNEL MOSFET 20V 915MA SC-75 |
| NTA4153NT1H | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| NTA-613 | 制造商:MISCELLANEOUS 功能描述: |
| NTA7002N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 30 V, 154 mA, Single, N−Channel, Gate ESD Protection, SC−75 |
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