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参数资料
| 型号： | NTB23N03RG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 09/Jan/2008 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.76nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 225pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 37.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTB23N03R
20
10 V
16
12
8
4.5 V
8V
6V
5V
4V
3.5 V
3V
20
16
12
8
V DS ≥ 10 V
T J = 25 ° C
4
V GS = 2.5 V
4
T J = 125 ° C
T J = -55 ° C
0
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
0.20
0.16
0.12
0.08
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS = 10 V
T J = 125 ° C
0.20
0.16
0.12
0.08
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
V GS = 4.5 V
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.04
T J = 25 ° C
0.04
T J = -55 ° C
T J = -55 ° C
0
0
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
1.8
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On-Resistance versus Drain Current
and Temperature
I D = 6 A
10,000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On-Resistance versus Drain Current
and Temperature
V GS = 0 V
1.6
V GS = 10 V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
1000
100
10
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On-Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain-to-Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DR331-513AE | CHOKE COMMON MODE 51UH 25% |
| ABLS-22.1184MHZ-L4Q-T | CRYSTAL 22.11840 MHZ 18PF SMD |
| ASA2-3.6864MHZ-L-T3 | OSC 3.6864 MHZ 1.8V SMD |
| B82731M2182A30 | D CORE DBL CHOKE 3.3MH 1.8A VER |
| B82731M2401A33 | D CORE DBL CHOKE 68MH 0.4A VERT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB23N03RT4 | 功能描述:MOSFET 25V 23A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB23N03RT4G | 功能描述:MOSFET 25V 23A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB-2401 | 制造商:Quest Technology International Inc 功能描述: |
| NTB-2402 | 制造商:Quest Technology International Inc 功能描述: |
| NTB-2403 | 制造商:Quest Technology International Inc 功能描述: |
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