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参数资料
| 型号： | NTB23N03RG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 09/Jan/2008 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.76nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 225pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 37.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTB23N03R
PACKAGE DIMENSIONS
D 2 PAK
CASE 418AA-01
ISSUE O
C
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
-B-
E
V
W
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
INCHES MILLIMETERS
4
DIM
A
B
MIN MAX
0.340 0.380
0.380 0.405
MIN MAX
8.64 9.65
9.65 10.29
1
2
3
S
A
C
D
E
F
0.160 0.190
0.020 0.036
0.045 0.055
0.310 ---
4.06 4.83
0.51 0.92
1.14 1.40
7.87 ---
G
J
0.100 BSC
0.018 0.025
2.54 BSC
0.46 0.64
-T-
SEATING
PLANE
G
K
J
W
K
M
S
V
0.090 0.110
0.280 ---
0.575 0.625
0.045 0.055
2.29 2.79
7.11 ---
14.60 15.88
1.14 1.40
D
3 PL
STYLE 2:
PIN 1.
GATE
VARIABLE
0.13 (0.005)
M
T B
M
2.
3.
4.
DRAIN
SOURCE
DRAIN
CONFIGURATION
ZONE
U
M
F
VIEW W-W
1
M
F
VIEW W-W
2
M
F
VIEW W-W
3
SOLDERING FOOTPRINT*
8.38
0.33
10.66
0.42
17.02
0.67
1.016
0.04
3.05
0.12
SCALE 3:1
5.08
0.20
mm
inches
*For additional information on our Pb-Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DR331-513AE | CHOKE COMMON MODE 51UH 25% |
| ABLS-22.1184MHZ-L4Q-T | CRYSTAL 22.11840 MHZ 18PF SMD |
| ASA2-3.6864MHZ-L-T3 | OSC 3.6864 MHZ 1.8V SMD |
| B82731M2182A30 | D CORE DBL CHOKE 3.3MH 1.8A VER |
| B82731M2401A33 | D CORE DBL CHOKE 68MH 0.4A VERT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB23N03RT4 | 功能描述:MOSFET 25V 23A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB23N03RT4G | 功能描述:MOSFET 25V 23A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB-2401 | 制造商:Quest Technology International Inc 功能描述: |
| NTB-2402 | 制造商:Quest Technology International Inc 功能描述: |
| NTB-2403 | 制造商:Quest Technology International Inc 功能描述: |
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