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参数资料
| 型号： | NTB52N10T4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 产品目录绘图： | MOSFET D2PAK |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 52A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 26A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 135nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTB52N10T4GOSDKR |
NTB52N10
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T C = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
(V GS = 0 Vdc, I D = 250 m Adc)
Temperature Coefficient (Positive)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V GS = 0 Vdc, V DS = 100 Vdc, T J = 25 ° C)
(V GS = 0 Vdc, V DS = 100 Vdc, T J = 125 ° C)
Gate ? Body Leakage Current (V GS = ± 20 Vdc, V DS = 0 Vdc)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
100
?
?
?
?
?
160
?
?
?
?
?
5.0
50
± 100
Vdc
mV/ ° C
m Adc
nAdc
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS, I D = 250 m Adc)
Temperature Coefficient (Negative)
Static Drain ? to ? Source On ? State Resistance
(V GS = 10 Vdc, I D = 26 Adc)
(V GS = 10 Vdc, I D = 26 Adc, T J = 125 ° C)
Drain ? to ? Source On ? Voltage
(V GS = 10 Vdc, I D = 52 Adc)
Forward Transconductance (V DS = 26 Vdc, I D = 10 Adc)
V GS(th)
R DS(on)
V DS(on)
g FS
2.0
?
?
?
?
?
2.92
? 8.75
0.023
0.050
1.25
31
4.0
?
0.030
0.060
1.45
?
Vdc
mV/ ° C
W
Vdc
mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
(V DS = 25 Vdc, V GS = 0 Vdc,
f = 1.0 MHz)
C iss
C oss
C rss
?
?
?
2250
620
135
3150
860
265
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS (Notes 3 & 4)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
?
15
25
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
(V DD = 80 Vdc, I D = 52 Adc,
V GS = 10 Vdc,
R G = 9.1 W )
t r
t d(off)
t f
?
?
?
95
74
100
180
150
190
Total Gate Charge
Gate ? to ? Source Charge
Gate ? to ? Drain Charge
(V DS = 80 Vdc, I D = 52 Adc,
V GS = 10 Vdc)
Q tot
Q gs
Q gd
?
?
?
72
13
37
135
?
?
nC
BODY ? DRAIN DIODE RATINGS (Note 3)
Diode Forward On ? Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Stored Charge
(I S = 52 Adc, V GS = 0 Vdc)
(I S = 37 Adc, V GS = 0 Vdc, T J = 125 ° C)
(I S = 52 Adc, V GS = 0 Vdc,
dI S /dt = 100 A/ m s)
V SD
t rr
t a
t b
Q RR
?
?
?
?
?
?
1.06
0.95
148
106
42
0.66
1.5
?
?
?
?
?
Vdc
ns
m C
3. Pulse Test: Pulse Width = 300 m s max, Duty Cycle = 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
http://onsemi.com
2
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