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参数资料
| 型号： | NTB52N10T4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 产品目录绘图： | MOSFET D2PAK |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 52A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 26A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 135nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTB52N10T4GOSDKR |
NTB52N10
100
90
80
70
V GS = 10 V
9V
8V
7V
T J = 25 ° C
6V
100
90
80
70
V DS ≥ 10 V
60
50
5.5 V
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
5V
4.5 V
4V
8 9
10
40
30
20
10
0
2
3
T J = 100 ° C
4
5
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
6
7
8
0.05
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.05
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.04
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
0.04
T J = 25 ° C
0.03
T J = 25 ° C
0.03
V GS = 10 V
0.02
0.01
T J = ? 55 ° C
0.02
0.01
V GS = 15 V
0
10
20
30
40
50
60
70 80
90
100
0
0
10
20
30
40
50
60
70 80
90 100
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2.5
2.25
2.0
1.75
I D = 26 A
V GS = 10 V
10,000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.5
1.25
1.0
0.75
0.5
0.25
100
T J = 100 ° C
0
? 60
? 30
0
30
60
90
120
150
10
30
40
50
60
70
80 90
100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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