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参数资料
| 型号： | NTB5404NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 136A D2PAK |
| 产品变化通告： | Reactivation Notice 08/Apr/2011 Product Obsolescence 24/Jan/2011 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 136A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 125nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7000pF @ 32V |
| 功率 - 最大： | 167W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTB5404N, NTP5404N, NVB5404N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
200
175
150
125
100
75
50
V GS = 8 V to 10 V
7V
6V
5V
4.8 V
T J = 25 ° C
4.6 V
4.4 V
4.2 V
200
175
150
125
100
75
50
V DS ≥ 10 V
T J = 25 ° C
25
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
4V
3.8 V
9 10
25
0
0
T J = 125 ° C
1 2 3
4
T J = ? 55 ° C
5 6 7
8 9
10
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.01
0.009
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
I D = 40 A
T J = 25 ° C
0.01
0.009
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
0.002
V GS = 5 V
V GS = 10 V
T J = 25 ° C
0.002
3
4
5
6
7
8
9
10
0.001
20 30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130 140
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2.2
2
1.8
I D = 40 A
V GS = 10 V
100000
10000
V GS = 0 V
T J = 175 ° C
1.6
1.4
1.2
1000
1
0.8
100
T J = 100 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC08CA020C-F | CAP MICA 2PF 100V 0805 |
| CD6ED500JO3 | CAP MICA 50PF 500V 5% RADIAL |
| CD15FD151FO3 | CAP MICA 150PF 500V 1% RADIAL |
| PDA620003 | OSC 106.25MHZ 3.3V SMD |
| CD5EC300GO3F | CAP MICA 30PF 300V 2% RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB5405N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 116 A, Single N−Channel, D2PAK |
| NTB5405NG | 功能描述:MOSFET NFET 40V 116A PB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB5405NT4G | 功能描述:MOSFET NFET 40V 116A PB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB5411N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 80 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220 |
| NTB5411NT4G | 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 60V 75A 12.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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