参数资料
型号: NTB5404NT4G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V 136A D2PAK
产品变化通告: Reactivation Notice 08/Apr/2011
Product Obsolescence 24/Jan/2011
标准包装: 800
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 136A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.5 毫欧 @ 40A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 125nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 7000pF @ 32V
功率 - 最大: 167W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
NTB5404N, NTP5404N, NVB5404N
100
50% Duty Cycle
10
1
20%
10%
5%
2%
1%
0.1
P (pk)
R q JA (t) = r(t) R q JA
D CURVES APPLY FOR POWER
0.01
SINGLE PULSE
0.001
0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
0.1 1
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JA (t)
10 100
1000
t, PULSE TIME (sec)
Figure 12. Thermal Response
http://onsemi.com
5
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PDF描述
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参数描述
NTB5405N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 116 A, Single N−Channel, D2PAK
NTB5405NG 功能描述:MOSFET NFET 40V 116A PB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB5405NT4G 功能描述:MOSFET NFET 40V 116A PB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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