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参数资料
| 型号： | NTB5605P |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 8.5A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 88W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTB5605P, NTBV5605
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
V (Br)DSS
V (Br)DSS /T J
V GS = 0 V, I D = ? 250 m A
? 60
? 64
V
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
? 1.0
m A
V DS = ? 60 V
T J = 125 ° C
? 10
Gate ? to ? Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = " 20 V
" 100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
Gate Threshold Voltage
Drain ? to ? Source On Resistance
V GS(th)
R DS(on)
V GS = V DS , I D = ? 250 m A
V GS = ? 5.0 V, I D = ? 8.5 A
V GS = ? 5.0 V, I D = ? 17 A
? 1.0
? 1.5
120
140
? 2.0
140
V
m W
Forward Transconductance
Drain ? to ? Source On Voltage
g FS
V DS(on)
V DS = ? 10 V, I D = ? 8.5 A
V GS = ? 5.0 V, I D = ? 8.5 A
12
? 1.3
S
V
CHARGES, CAPACITANCES AND GATE RESISTANCE
Input Capacitance
C iss
730
1190
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
Gate ? to ? Source Charge
Gate ? to ? Drain Charge
C oss
C rss
Q G(TOT)
Q GS
Q GD
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz,
V DS = ? 25 V
V GS = ? 5.0 V, V DS = ? 48 V,
I D = ? 17 A
211
67
13
4.0
7.0
300
120
22
pF
nC
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
12.5
25
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V GS = ? 5.0 V, V DD = ? 30 V,
I D = ? 17 A, R G = 9.1 W
122
29
75
183
58
150
ns
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
? 1.55
? 2.5
V
I S = ? 17 A
T J = 125 ° C
? 1.4
Reverse Recovery Time
t rr
60
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V, dI S /dt = 100 A/ m s,
I S = ? 17 A
39
21
0.14
ns
nC
3. Pulse Test: Pulse Width v 300 m s, Duty Cycle v 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTB5605P_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp |
| NTB5605PG | 功能描述:MOSFET -60V -18.5A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB5605PT4 | 功能描述:MOSFET -60V -18.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB5605PT4G | 功能描述:MOSFET -60V -18.5A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB5605T4G | 功能描述:MOSFET PFET 60V 18.5A TR D2PAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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