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参数资料
| 型号： | NTB5605P |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 8.5A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 88W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTB5605P, NTBV5605
V DS = ? 10 V
40
35
30
25
V GS = ? 10 V
V GS = ? 9 V
V GS = ? 8 V
V GS = ? 7 V
T J = 25 ° C
V GS = ? 6 V
V GS = ? 5.5 V
V GS = ? 5 V
40
30
T J = ? 55 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
20
V GS = ? 4.5 V
20
15
10
5
V GS = ? 4 V
V GS = ? 3.5 V
V GS = ? 3 V
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.5
0.45
0.4
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
V GS = ? 5.0 V
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.25
0.225
0.2
0.175
0.15
0.125
0.1
0.075
0.05
0.025
T J = 25 ° C
V GS = ? 5.0 V
V GS = ? 10 V
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
? I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Drain Current and
Temperature
? I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
I D = ? 8.5 A
V GS = ? 5.0 V
10000
1000
100
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.8
0.6
0.4
0.2
10
0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
1
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTB52N10G | MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK |
| YB216CWCKW01-5C12-CB | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 3A 125V |
| B82721K2362N1 | COIL CHOKE .40MH 3.6A VERT |
| NTB45N06LG | MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK |
| 59826-1 | TOOL TETRA-CRIMP DIE 22-18AWG |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB5605P_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp |
| NTB5605PG | 功能描述:MOSFET -60V -18.5A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB5605PT4 | 功能描述:MOSFET -60V -18.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB5605PT4G | 功能描述:MOSFET -60V -18.5A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB5605T4G | 功能描述:MOSFET PFET 60V 18.5A TR D2PAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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