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参数资料
| 型号： | NTB75N03RT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1333pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTB75N03RT4OS |
NTB75N03R, NTP75N03R
140
10 V
5V
4.5 V
140
V DS ≥ 10 V
120
8V
120
100
80
60
6V
4V
3.5 V
100
80
60
40
3V
40
T J = 25 ° C
20
V GS = 2.5 V
20
T J = 125 ° C
T J = ?55 ° C
0
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
0.022
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
0.022
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.018
0.014
V GS = 10 V
0.018
0.014
V GS = 4.5 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.010
T J = 150 ° C
0.010
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.006
T J = 25 ° C
0.006
T J = ?55 ° C
0.002
0
20
40
T J = ?55 ° C
60 80
100
120
140
0.002
0
20
40
60
80
100
120
140
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance versus Drain Current
and Temperature
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Temperature
1.8
1.6
I D = 30 A
V GS = 10 V
100,000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
10,000
T J = 125 ° C
1.2
1.0
0.8
0.6
1000
100
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTB75N06LT4 | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
| NTD15N06LT4 | MOSFET N-CH 60V 15A DPAK |
| NTD15N06T4 | MOSFET N-CH 60V 15A DPAK |
| NTD18N06LT4 | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
| NTB75N03-06T4 | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB75N03RT4G | 功能描述:MOSFET 25V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB75N06 | 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB75N06G | 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB75N06G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| NTB75N06L | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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